امروزه مولیبدیم دی سولفات، MoS2، قابلیت چشمگیری برای استفاده در ابزار‌های اپتوالکترونیکی نشان داده‌است که طراحی این ابزار‌ها در بازه‌ی گسترده‌ی اپتیکی در مورد بحث و گفت‌وگو می‌باشد. در این مقاله در راستای افزایش پهنای باند و طیف جذب، از شبه بلورهای فوتونی رودین شاپیرو با لایه‌های دی‌الکتریک متشکل از Si3N4 و SiO2 همراه با تک‌لایه‌ی MoS2 استفاده شده است. ویژگی اپتیکی ساختارها با روش ماتریس انتقال در ناحیه‌ی طول موج مرئی به صورت نظری مورد بررسی قرار گرفته است که ضریب شکست تک‌لایه‌ی MoS2 در ناحیه‌ی طول موج مرئی از روش لورنتس محاسبه می‌شود. جذب در این ساختارها به بالای 70% در بازه‌ی طول موج مرئی رسیده است.

واژه‌های کلیدی: روش ماتریس انتقال، روش لورنتس، شبه بلور رودین شاپیرو، طیف جذب، مولبیدیم دی سولفات.

متن کامل [PDF 516 kb]   (266 دریافت)