جلد 26 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و ششمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال26 صفحات 1180-1177 |
برگشت به فهرست نسخه ها
1- دانشگاه تربیت مدرس
چکیده: (1337 مشاهده)
در مقاله‌ی پیش‌رو روش جدیدی ارائه داده‌ایم که با استفاده از آن می‌توان تأثیر زیرلایه بر جذب پلاسمونی در گرافن را با ترکیب دو روش تقریب فاز تصادفی و معادلات انتگرالی مشاهده کرد. زیرلایه‌ی قطبی SiO2 و غیرقطبی DLC برای بررسی تغییرات جذب پلاسمونی در گستره‌ی میان-مادون قرمز در نانونوارهای گرافنی انتخاب شده‌اند. برهمکنش میان پلاسمون‌های برانگیخته شده در سطح گرافن و فونون‌های زیرلایه‌ی قطبی تغییر چشم‌گیری در پاشندگی ساختار ایجاد می‌کند و در نتیجه تاثیر بر روی جذب پلاسمونی نیز چشم‌گیر خواهد بود. در اینجا، ابتدا با استفاده از تقریب فاز تصادفی تابع دی‌الکتریک گرافن را بدست می‌آوریم. آشکار است که در حضور فونون، تابع دی‌الکتریک نسبت به زمانی که فونون حضور ندارد متفاوت است. پس از آن با مدل کردن گرافن با تابع دی‌الکتریک محاسبه شده و استفاده از روش معادلات انتگرالی جذب پلاسمونی را می‌یابیم. مطالعات ما راه را برای ساختارهای پلاسمونی مانند مدولاتورها، موجبرها و آشکارسازها و نحوه‌ی استفاده از زیرلایه‌ها روشن می‌کند.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |