جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال20 صفحات 1376-1373 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


1- دانشگاه سلمان فارسی کازرون
2- دانشگاه شیراز
چکیده:   (4365 مشاهده)
فراماده ای تخت با سلول های واحد تشکیل شده از جفت سیم های کوتاه و سیم های پیوسته را در نظر می گیریم. در فرکانس ، اثر مقدار ثابت دی الکتریک لایه دی الکتریک بین سیم های کوتاه را بر ضریب شکست موثر ساختار بررسی می کنیم. با افزایش اندازه ثابت دی الکتریک، ضریب شکست موثر ساختار از مقادیر منفی به مقادیر مثبت تبدیل می شود. با الهام از این موضوع می توان فراماده ای ساخت که در ناحیه فرکانسی فروسرخ نزدیک و یا مرئی دارای ضریب شکست موثری باشد که علامت آن با افزایش شدت نور فرودی تغییر کند.
متن کامل [PDF 409 kb]   (953 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.