برقراری ارتباط
جلد 26 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و ششمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال26 صفحات 292-289 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Ansari N, Mirbaghestan K. Effect of Symmetric and Antisymmetric Defective Photonic Crystal with MoS2 Monolayer on Defect Mode. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2020; 26 :289-292
URL: http://opsi.ir/article-1-2039-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2039-fa.html
انصاری نرگس، میرباغستان کیمیا. اثر بلور فوتونی نقص‌دار متقارن و نامتقارن شامل تک‌لایه‌ی MoS2 بر مد نقص. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1398; 26 () :289-292
1- دانشگاه الزهرا
چکیده: (1457 مشاهده)
امروزه بلورهای دو بعدی موبیلدیم دی سولفات MoS2 به علت داشتن جذب بالا با وجود ضخامت نانومتری‌یشان، بسیار مورد توجه قرار گرفته‌اند. یکی از روش‌های مرسوم برای افزایش جذب، قرارگیری تک لایهی MoS2 به صورت نقص در بلور فوتونی می‌باشد. در این مقاله بلور، جذب های فوتونی نقص‌دار با ساختارهای نامتقارن و متقارن برای نقص به دو صورت MDM و DMD با یکدیگر مقایسه شده‌اند. با تغییر ضخامت لایهی نقص D، اثر آن بر روی طول موج مد نقص بررسی گردید. جذب ساختارها با استفاده از روش ماتریس انتقال بدست می‌آید. با استفاده از ساختارهای پیشنهادی می‌توان به جذب بالای 93 درصد در طول موج طراحی و حدود 90 درصد در طول موج‌های لبه‌های گاف نواری با تغییر در ضخامت لایهی نقص رسید.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
