1- دانشگاه الزهرا
چکیده: (1381 مشاهده)
امروزه بلورهای دوبعدی موبیلدیم دی سولفات MoS2، قابلیت چشمگیری در کاربردهای اپتوالکترونیکی نشان دادهاند. در این مقاله در راستای رسیدن به ساختاری با جذب بالا و قابلیت تنظیمپذیری، از بلور فوتونی نقص دار با ساختار {(AB)p MDM (AB)q} استفادهشده است که نقص در آن بهصورت MoS2/D/MoS2 در نظر گرفتهشده است و p و q به ترتیب تناوب بلور فوتونی بالا و پایین نقص را نشان میدهد. از روش ماتریس انتقال برای محاسبهی جذب استفادهشده است. برای دستیابی به جذب بالا، دوره تناوب بلور فوتونی بالا و پایین نقص و ضخامت لایهی نقص بهینه گردید. با استفاده از ساختار پیشنهادی میتوان به جذب تقریبا کامل بالای 97 درصد با قابلیت تنظیمپذیری طولموج مد نقص با تغییر در ضخامت لایهی D رسید که با افزایش ضخامت لایهی D، طولموج مد نقص انتقال به سرخ دارد.
نوع مطالعه:
پژوهشي |
موضوع مقاله:
تخصصی