جلد 26 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و ششمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال26 صفحات 256-253 |
برگشت به فهرست نسخه ها
1- دانشگاه دامغان
چکیده: (1519 مشاهده)
در این پژوهش اثر آلایش نقاط کوانتومی گرافن بر روی طیف‌های گسیلی از آنها بررسی شده است. نقاط کوانتومی گرافن که بصورت محلول در آب بودند بر روی بستر گرافن رشد داده شده بر روی کاربید سیلیکن به روش اپیتکسی لایه نشانی شدند. خواص ساختاری شامل مورفولوژی و توپولوژی سطح توسط میکروسکوپ نوری، میکروسکوپ نور گسیل (PEEM) میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM)، میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) و میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) بررسی شد. نتایج مشخصه یابی نشان می دهد که در انتخاب عنصر ناخالص هر چه از ستون چهارم جدول تناوبی به سمت ستون اول حرکت کنیم، واکنش پذیری عناصر بیشتر میشود. تصاویر AFM یکنوختی سطح گرافن رشد داده شده بر روی SiC را نشان میدهد. تصاویر SEM و TEM نیز توزیع یکنواخت نقاط کوانتومی گرافن را بر روی بستر نشان میدهد. با افزایش درصد آلایش برای بور از 75/0% به 5/1% و برای پتاسیم از 2% به 4% شدت طیف گسیلی از نقاط کوانتومی آلایش شده افزایش مییابد. به همین ترتیب، با حرکت از ستون چهارم به سمت ستون هفتم، با افزایش درصد آلایش برای نیتروژن و کلر از 2% به 4% شدت طیف گسیلی از نقاط کوانتومی آلایش شده با عناصر ذکر شده کاهش مییابد.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |