جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال25 صفحات 1064-1061 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print

بررسی مقایسه‌ای اثر ضخامت لایه‌ی اکسید آلومینیوم در سلول‌های خورشیدی پروسکایتی
عاطفه قربانی گل تپه* 1، بهرام عبدالهی نژند1 ، محمد کاظم مروج فرشی1
1- دانشگاه تربیت مدرس
چکیده:   (1662 مشاهده)
در این مقاله اثر نشاندن ضخامت­های مختلف لایه­ی اکسید آلومینیوم روی لایه­ی متخلخل انتقال دهنده الکترون (mp-TiO2) در خواص فتوولتاییکی سلول­های خورشیدی پروسکایتی بررسی شده است. در این کار از روش کندوپاش مغناطیسی چرخشی برای نشاندن لایه­ی اکسید آلومینیوم استفاده شده­است. سلول­های خورشیدی ساخته شده دارای ساختار رایج
 FTO/c-TiO2/mp-TiO2/CH3NH3PbI3/spiro-OMeTAD/Au اند. علی رغم این­که با افزایش ضخامت لایه­ی اکسید، ولتاژ مدارباز سلول افزایش می­یابد؛ چگالی جریان کاهش می­یابد. به دلیل عایق بودن اکسید آلومینیوم، کاهش جریان سلول با افزایش ضخامت اکسید آلومینیوم دور از انتظار نیست. مقایسه سلول­های خورشیدی دارای سه ضخامت مختلف از اکسید آلومینیوم، نشان می­دهد؛ نمونه­های حاوی ضخامت 15 نانومتر بهترین مشخصات فتوولتاییکی را از خود نشان می­دهند.
واژه‌های کلیدی: اکسید آلومینیوم، خواص فتوولتاییکی، سلول خورشیدی پروسکایتی
متن کامل [PDF 557 kb]   (329 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.