جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال25 صفحات 604-601 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print

رشد لایه‌های نازک WS2 با روش PLD و بررسی جذب غیرخطی و محدودکنندگی نوری آن‌ها
شبنم ابوطالبی* 1، محمد خان زاده1 ، سید محمد باقر مرعشی1
1- دانشگاه ولیعصر رفسنجان
چکیده:   (1696 مشاهده)
در این پژوهش ضریب جذب غیرخطی و محدودکنندگی نوری لایه­های نازک WS2  اندازه­گیری شده است. لایه­های نازک WS2 به روش لایه­نشانی لیزر پالسی رشد یافته­اند و آنالیزهای انجام شده نشان می­دهد این روش برای رشد لایه­های با کیفیت کارآمد است. از طرفی پاسخ نوری غیرخطی این لایه­ها با روش پویش Z روزنه باز با لیزر پیوسته nm  532 و توانmW  200  بررسی شده است. نتایج نشان می­دهد جذب غیرخطی لایه­های WS2 برای ضخامت­ها و توان­های مختلف از مرتبه    103 می­باشد. این لایه­ها برای کاربردهایی چون محدودکننده­های نوری مناسب بشمار می­روند.
واژه‌های کلیدی: لایه نازک، لایه نشانی لیزر پالسی، پویش Z، ضریب جذب غیرخطی، محدودکنندگی نوری
متن کامل [PDF 1280 kb]   (401 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.