جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال25 صفحات 580-577 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


1- دانشگاه شهید بهشتی
چکیده:   (1622 مشاهده)
Zn2SnO4به عنوان یک نیمرسانای شفاف در ساخت قطعات الکترونیکی شفاف همچون سلول­های خورشیدی مورد توجه قرار گرفته است. در این پژوهش، پودرهای Zn2SnO4 با درصدهای مختلفی از ناخالصی منگنز با استفاده از روش واکنش حالت جامدی ساخته شدند. بررسی خواص ساختاری نشان می­دهد که ماده تکفاز Zn2SnO4 در مقادیر کمتر از 4 درصد تشکیل می­شود و با افزایش بیشتر ناخالصی، فازهای اضافی نظیر اکسیدهای منگنز Mn3O4) و (Mn2O3 در کنار فاز اصلی شکل می­گیرند. در ادامه، اثر بازپخت در خلأ بر خواص فرومغناطیسی و اپتیکی نمونه­ها مورد بررسی قرار گرفت. گاف انرژی نمونه­های ساخته شده، بالاتر از 4 الکترون ولت بدست آمد. علاوه بر این، خاصیت فرومغناطیسی در نمونه های Zn2SnO4 مورد تایید قرار گرفت.
متن کامل [PDF 737 kb]   (467 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.