برقراری ارتباط
جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال24 صفحات 788-785 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Ghorbani Koltapeh A, Mardekatani Asl F, Abdollahi Nejand B, Moravvej-Farshi M K. Enhanced Open-circuit Voltage Using Al2O3 Inert Layer in Perovskite Solar Cells. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2018; 24 :785-788
URL: http://opsi.ir/article-1-1565-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1565-fa.html
قربانی کل تپه عاطفه، مرده کتانی اصل فرزاد، عبدالهی نژند بهرام، مروج فرشی محمد کاظم. بهبود ولتاژ مدارباز در سلولهای خورشیدی پروسکایتی با استفاده از لایهی دی اکسید آلومینیوم به عنوان لایه خنثی الکتریکی. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1396; 24 () :785-788
1- دانشگاه تربیت مدرس
چکیده: (2248 مشاهده)
در این مقاله اثر نشاندن لایهی دی اکسید آلومینیوم روی لایهی متخلخل انتقال دهنده الکترون (mp-TiO2) در خواص فتوولتاییکی سلولهای خورشیدی پروسکایتی بررسی شده است. به دلیل عایق بودن دی اکسید آلومینیوم نیاز است نشاندن لایه به صورت غیر یکنواخت صورت بگیرد و به این منظوراز روش کندوپاش مغناطیسی چرخشی استفاده شدهاست. در این کار، ولتاژ مدار باز سلولهای خورشیدی پروسکایتی با استفاده از لایهی دی اکسید آلومینیوم و بدون آن مقایسه شدهاست. با استفاده از لایه نازک دی اکسید آلومینیوم، به دلیل کاهش مراکز بازترکیب در ساختار، ولتاژ مدار باز بزرگتری به دست میآید، که با نتایج حاصل از مشخصههای چگالی جریان-ولتاژ، افت ولتاژ مدار باز و مشخصه جریان تاریک سلولهای خورشیدی مورد تایید است.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
