جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET سال24 صفحات 593-596 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


1- دانشگاه تربیت مدرس
چکیده:   (1091 مشاهده)
علیرغم بازدهی بالای سلول­های خورشیدی پروسکایتی و همچنین سهولت ساخت آن­ها، شاهد هیسترزیس درنمودار جریان ولتاژ این سلول­ها هستیم. در این پژوهش نشان داده می شود که با اضافه کردن سزیم به ساختار پروسکایت CH3NH3PbI3 هیسترزیس به میزان قابل توجهی کاهش می یابد. با توجه به اینکه به طور قطعی نمی­­توان در مورد منشا هیسترزیس در پروسکایت نظر داد، کاهش هیسترزیس در ساختار مورد بررسی قرار می گیرد. بنظر می رسد کوچک بودن شعاع مهاجرت یونی Cs نسبت به کاتون ارگانیک CH3NH3  و بهبود ترازهای تله ای پروسکایت موجب کاهش هیسترزیس است.
 
متن کامل [PDF 1082 kb]   (612 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی