جلد 23 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و سومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال23 صفحات 428-425 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


1- دانشگاه علم و صنعت
چکیده:   (2818 مشاهده)

در این مقاله، مدلی برای مشخصه ­یابی اثر تشعشعات بر روی حسگرهای تصویربرداری ساخته ­شده در فناوری 180 نانومتری سیماس ارائه شده است. این مدلسازی با استفاده از بار حالت ­های میانی و تله ­های اکسید صورت گرفته است. برای صحت­ سنجی مدل از دو نوع حسگر تصویربرداری حساس به تشعشع ساخته ­شده در این فن­ آوری کمک گرفته شده است. نتایج شبیه­ سازی مدل نشانمی­ دهد میانگین خطاهای مقدار جریان تاریک ساختارها در نتیجه شبیه­ سازی نسبت به نتایج آزمایش های تجربی 3 درصد می ­باشد.مدل ارائه شده قابلیت پیش ­بینی اثر دوز یونیزان کلی تشعشعات در حسگرهای تصویربرداری ساخته­ شده در فن­ آوری سیماس 180 نانومتری را دارا می­ باشد.

متن کامل [PDF 717 kb]   (977 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.