در این مقاله، امکان به دست آوردن بلورهای فوتونی یک بعدی که شامل مواد کم هزینه و همیشه در دسترس دی اکسید سیلیکون (SiO2) یا پلی متیل متاکریلات (PMMA) وتک لایههای دی سولفید مولیبیدیوم (MoS2 ) است ارائه شده است. باا اعمال ماتریس انتقال تحت باریکه گاوسی به بلورهای فوتونی با لایه های SiO2/ MoS2 وMoS2 / PMMA و بکارگیری ضرایب شکست وابسته به طول موج این لایه ها، طیف تراگسیل و ویژگیهای گاف نواری فوتونی آنها مورد بررسی قرار گرفته است. با افزایش مختصه شعاعی rدر باریکه گاوسی، مکان گاف نوارهای فوتونی به سمت فرکانسهای پایین تر جابجا شدند. با افزایش ضخامت لایههای درهر یک از این بلورهای فوتونی، پهنای گاف نواری بطور قابل ملاحظهای افزایش یافت و یک جابجایی به سمت فرکانس های پایین تر را نشان داد.
بازنشر اطلاعات | |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |