جلد 23 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و سومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال23 صفحات 388-385 |
برگشت به فهرست نسخه ها
آرزو رشیدی* 
1، عبدالرحمن نامدار1 ، رضا عبدی قلعه2
1، عبدالرحمن نامدار1 ، رضا عبدی قلعه2
1- دانشگاه تبریز
2- دانشگاه بناب
2- دانشگاه بناب
چکیده: (2626 مشاهده)
در این مقاله اثر تعداد تناوب سلولهای واحد اطراف لایه ی نقص در یک بلور فوتونی یک بعدی گرافن پایه را بر طیف جذب بررسی میکنیم. با فرض اینکه تعداد تناوب سلول واحد قبل و بعد از لایهی نقص به ترتیب m و n باشد، نشان می دهیم که در هر m با افزایش n، جذب در محل مد نقص رو به بهبود می گذارد. بعلاوه، برای دستیابی به جذب افزایش یافته در ساختار، علاوه بر n های بالاتر بایستی از m های پایین نیز استفاده کرد.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |