:: جلد 23 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و سومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال23 صفحات 1001-1004 برگشت به فهرست نسخه ها
خواص اپتیکی نانو سیم های سیلیسیمی ساخته شده به روش 1-MACE
خانم سمیه اشرف آبادی* 1، دکتر حسین عشقی2
1- دانشگاه صنعتی شاهرود
2- استاد دانشگاه صنعتی شاهرود
چکیده:   (854 مشاهده)

نانو سیم­های سیلیسیمی به روش سونش شیمیایی تک مرحله­ای در زمان­های متفاوت (80min و 60، 30)   تهیه شده اند. با توجه به تصاویر FESEM آرایه ­هایی از نانو سیم­ها به­صورت منظم، متراکم و عمود بر سطح تشکیل شده است. اگرچه با افزایش زمان سونش از 30 به 60 دقیقه طول نانوسیم­ها افزایش و قطر آنها کاهش یافته اما با ادامه فرایند تا 80 دقیقه از طول نانو سیم ها کاسته شده اند. با استفاده از طیف بازتاب و رابطه­ ی Kubelka-Munk گاف نواری اپتیکی نمونه­ ها محاسبه شدند. دریافتیم با افزایش زمان سونش گاف نواری از   eV 1/36 به eV 1/58 تحت تاثیر وقوع محدودیت کوانتومی افزایش یافته­ اند. این تغییرات می تواند در آشکارسازهای نوری مفید باشد.

واژه‌های کلیدی: خواص اپتیکی، گاف اپتیکی، SiNWs
متن کامل [PDF 851 kb]   (259 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی


XML   English Abstract   Print



جلد 23 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و سومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها