نانو سیم­های سیلیسیمی به روش سونش شیمیایی تک مرحله­ای در زمان­های متفاوت (80min و 60، 30)   تهیه شده اند. با توجه به تصاویر FESEM آرایه ­هایی از نانو سیم­ها به­صورت منظم، متراکم و عمود بر سطح تشکیل شده است. اگرچه با افزایش زمان سونش از 30 به 60 دقیقه طول نانوسیم­ها افزایش و قطر آنها کاهش یافته اما با ادامه فرایند تا 80 دقیقه از طول نانو سیم ها کاسته شده اند. با استفاده از طیف بازتاب و رابطه­ ی Kubelka-Munk گاف نواری اپتیکی نمونه­ ها محاسبه شدند. دریافتیم با افزایش زمان سونش گاف نواری از   eV 1_/36 به eV 1_/58 تحت تاثیر وقوع محدودیت کوانتومی افزایش یافته­ اند. این تغییرات می تواند در آشکارسازهای نوری مفید باشد.