در این مقاله خواص تراگسیل ساختار پریودیک دی الکتریک- گرافن یک بعدی حاوی لایه نقص با استفاده از روش ماتریس انتقال مورد مطالعه قرار گرفته است. ساختار مورد نظر متشکل از نانو لایه‌های یکسان گرافن است که به صورت پریودیک توسط لایه‌های یکسان دی الکتریک از هم جدا شده‌اند و لایه‌ی نقص در مرکز ساختار قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشانگر وجود گاف باند القایی گرافن در فرکانسهای پایین تراهرتز می‌باشد. هم چنین یک مد نقص در گاف باند مربوطه قابل مشاهده است که ناشی از شکست تناوب شبکه گرافنی است. لذا مد نقص القایی گرافن نامگذاری شده است. وابستگی مد نقص به فاصله بین نانولایه‌های گرافن و گذردهی الکتریکی دی الکتریک تحت تابش عمودی مورد مطالعه قرار گرفته است. از آن جایی که گذردهی نانولایه‌های گرافن از طریق رسانندگی سطحی وابسته به پتانسیل شیمیایی گرافن است، فرکانس مد نقص القایی گرافن قابلیت تنظیم از طریق اعمال ولتاژ گیت را داراست. علاوه بر این، توزیع میدان امواج الکترومغناطیسی در فرکانس مد نقص القایی گرافن در درون ساختار رسم شده است.