چکیده: (37622 مشاهده)
در این مقاله تأثیر زاویه تابش درضریب بازتاب و گاف باند بلور فوتونی متشکل از نیم رساناهای چاه کوانتومی InGaAs/InAs، تحت تابش یک پالس قوی دمشی فمتوثانیه مورد بررسی قرارگرفته است. نتایج نشان میدهد که به علت اثر اشتارک اپتیکی و کنترل فرکانس تشدید اکسیتون، گاف باند این بلور قابل کنترل میشود. این گاف باند قابل کنترل توسط اثراشتارک، میتواند در طراحی کلیدها و فیلترهای نوری مفید باشد. به دلیل ابعاد کوچک معرفی شده، این ساختار قابلیت زیادی در مدارات مجتمع نوری و سیستمهای مخابرات نوری دارد.
نوع مطالعه:
پژوهشي |
موضوع مقاله:
تخصصی